🤔 BESI: Samsung en SK Hynix schuiven hybrid bonding bij HBM mogelijk verder vooruit
Samsung Electronics en SK Hynix heroverwegen wanneer zij hybrid bonding breed gaan toepassen bij de volgende generaties high bandwidth memory. Binnen de sector wordt rekening gehouden met een latere invoering dan eerder verwacht. HBM4 is al zonder hybrid bonding gegaan. De vraag is nu of brede toepassing pas bij HBM4E, HBM5 of nog later komt.
Voor BESI is dit op korte termijn negatief. Het aandeel wordt deels gewaardeerd op de verwachting dat hybrid bonding een grotere rol krijgt in advanced packaging, AI-geheugen en HBM. Als die adoptie later komt, kan de markt minder bereid zijn om daar nu al een hoge waardering voor te betalen.
■ Nieuws: Samsung en SK Hynix lijken hybrid bonding bij HBM later breed toe te passen dan eerder verwacht.
■ BESI: op korte termijn negatief, omdat snellere adoptie deels in het sentiment zat.
■ Timing: het probleem zit vooral in commerciële opschaling, niet in de technologie zelf.
■ Oorzaak: ruimere diktestandaarden en aparte koeloplossingen verlagen de directe noodzaak.
■ Lange termijn: bij hogere I/O-dichtheid kan hybrid bonding alsnog noodzakelijk worden.
Waarom de urgentie afneemt
De huidige HBM-productie gebruikt thermal compression bonding. Daarbij worden DRAM-lagen verbonden via bumps, underfill, hitte en druk. Hybrid bonding koppelt koperverbindingen direct aan elkaar. Dat maakt dunnere stacks, betere warmteafvoer, hogere energie-efficiëntie en meer verbindingsdichtheid mogelijk.
De noodzaak om snel over te stappen neemt af doordat de diktestandaard ruimer wordt. Bij HBM3E lag de norm rond 720 micrometer. Bij HBM4 is dat verhoogd naar 775 micrometer. Voor toekomstige HBM-generaties met 20 lagen, zoals HBM5, wordt binnen JEDEC gesproken over 900 tot ongeveer 1.000 micrometer. Meer fysieke ruimte maakt extreme verkleining van de afstand tussen DRAM-lagen minder urgent.
Warmteafvoer krijgt voorlopig een andere route
Samsung werkt aan Heat Path Block. SK Hynix werkt aan iHBM, ook ICE HBM genoemd. Daarbij wordt een aparte warmte-afvoerende component naast de HBM geplaatst. Voor geheugenproducenten is dat waarschijnlijk eenvoudiger te commercialiseren dan een directe overstap naar hybrid bonding.
Vraag naar hogere stacks blijft nog beperkt
Volgens signalen uit de sector zijn gesprekken over 16-layer HBM nog niet breed op gang gekomen. Daardoor kan 12-layer HBM voorlopig de hoofdmoot blijven, ook bij HBM4E. Zolang klanten geen massale hogere stacks afdwingen, blijft de druk op nieuwe bondingtechnologie beperkt.
Wat dit betekent voor BESI
Disclaimer Aan de door ons opgestelde informatie kan op geen enkele wijze rechten worden ontleend. Alle door ons verstrekte informatie en analyses zijn geheel vrijblijvend. Alle consequenties van het op welke wijze dan ook toepassen van de informatie blijven volledig voor uw eigen rekening.
Wij aanvaarden geen aansprakelijkheid voor de mogelijke gevolgen of schade die zouden kunnen voortvloeien uit het gebruik van de door ons gepubliceerde informatie. U bent zelf eindverantwoordelijk voor de beslissingen die u neemt met betrekking tot uw beleggingen.
