■ SK hynix bevestigde op Hot Chips 2026 dat hybrid bonding niet klaar is voor HBM4E en blijft bij Advanced MR-MUF. Voor Besi schuift daarmee een belangrijke potentiële HBM-equipmentkatalysator naar achteren.
■ Dit is een tegenvaller, maar geen gamechanger voor Besi. De HBM-kans verdwijnt niet en wordt juist technisch relevanter wanneer stacks richting 20-Hi en HBM5 gaan.
■ Samsung kan eerder overstappen. De onderneming bouwt hybrid-bondingcapaciteit op en Besi geldt als belangrijke kandidaat voor die-to-wafer equipment, al zijn grote productieorders nog niet definitief.
■ Micron volgt een conservatievere route. Daarmee ontstaat waarschijnlijk geen gelijktijdige industriebrede overgang: SK hynix, Samsung en Micron kunnen ieder op een ander moment overstappen.
■ Voor SK hynix is langer doorgaan met MR-MUF rationeel zolang yields, kosten en volumes goed blijven. Het bedrijf voorkomt daarmee dat het zijn sterke HBM-positie onnodig met een complexer productieproces riskeert.
■ Voor Besi blijft onze strategie Buy on dips. Een terugval door teleurstelling over HBM4E zien wij eerder als kans dan als reden om de structurele hybrid-bondingcase los te laten.

Inleiding

Voor Besi komt er vanuit Hot Chips 2026 een belangrijk nieuw signaal uit de geheugenmarkt. SK hynix, een van de dominante leveranciers van HBM voor AI-accelerators, verwacht hybrid bonding niet te gebruiken voor HBM4E. Het bedrijf blijft Advanced MR-MUF inzetten en schuift hybrid bonding daarmee feitelijk door naar een latere generatie, waarbij HBM5 nu het vroegste logische moment lijkt.

Dat is relevant voor Besi omdat HBM al langer wordt gezien als een van de grootste nieuwe toepassingsmarkten voor hybrid bonding. Nog in juli werd 16-Hi HBM4E genoemd als een mogelijk eerste serieus adoptiemoment. De presentatie van SK hynix maakt nu duidelijk dat de grootste HBM-speler daar anders naar kijkt.

Voor beleggers verandert daarmee vooral de timing. Wie rekende op een snelle golf aan HBM-gerelateerde hybrid-bondingorders moet voorzichtiger worden. Maar wie hieruit concludeert dat de structurele markt voor Besi verdwijnt, trekt volgens ons de verkeerde conclusie.

Wil je alle artikelen kunnen lezen en elke podcast beluisteren? Neem dan een abonnement en krijg toegang tot alle artikelen en de database met duizenden berichten.

Investment view — Besi

Voor Besi is het nieuws van SK hynix duidelijk een tegenvaller, maar geen gamechanger. De verwachting dat HBM4E al een belangrijke nieuwe hybrid-bondingmarkt zou kunnen worden, schuift bij de grootste HBM-producent verder naar achteren. Dat kan op korte termijn druk op het aandeel geven en maakt het logisch om de verwachte HBM-bijdrage voor de eerstkomende generatie conservatiever in te schatten.

Onze strategie blijft echter Buy on dips. Als Besi op dit nieuws wordt teruggezet, zien wij dat eerder als een kans dan als reden om de structurele hybrid-bondingcase los te laten. Het belangrijkste is dat de HBM-kans niet verdwijnt. De technische noodzaak wordt juist groter naarmate stacks hoger worden en thermische problemen toenemen.

Het onderscheid tussen HBM-groei en hybrid-bondinggroei is daarbij essentieel. De HBM-markt kan de komende jaren enorm groeien zonder dat Besi onmiddellijk even hard profiteert. Zolang SK hynix MR-MUF gebruikt, leiden meer HBM-stacks bij Nvidia niet automatisch tot meer hybrid bonders van Besi. Wij zouden daarom voor HBM pas serieus extra omzet gaan modelleren wanneer concrete productieorders zichtbaar worden.

Daarmee wordt Samsung belangrijker. Samsung volgt een agressievere roadmap en bouwt capaciteit op voor die-to-wafer hybrid bonding. Besi wordt daarbij als belangrijke kandidaat genoemd, maar de uiteindelijke equipmentkeuze en omvang van de productieorders zijn nog niet volledig vastgelegd. Dat betekent dat Samsung de HBM-katalysator voor Besi naar voren kan halen, maar wij rekenen die omzet nog niet als zekerheid in.

Tegelijkertijd is Besi tegenwoordig veel meer dan een toekomstige HBM-optie. Hybrid bonding wordt al ontwikkeld en opgeschaald voor advanced logic, datacenterchips, photonics en andere high-end packagingtoepassingen. Het aantal hybrid-bondingklanten is uitgebreid en de bredere AI-packagingcyclus loopt al. HBM moet daarom worden gezien als een mogelijke extra versnelling boven op de bestaande case.

Voor ons blijft de lange lijn dus intact: tegenvaller voor HBM4E, geen gamechanger voor Besi en Buy on dips bij duidelijke koerszwakte.

Investment view — SK hynix

Voor SK hynix beoordelen wij hetzelfde nieuws veel neutraler. De onderneming heeft geen commerciële reden om hybrid bonding vroeg te forceren wanneer Advanced MR-MUF nog voldoende prestaties levert. Bij HBM zijn hoge yields, betrouwbare volumes en tijdige levering uiteindelijk belangrijker dan het gebruik van de technologisch meest geavanceerde bondingmethode.

Dat is extra belangrijk omdat een HBM-stack uit meerdere zeer kostbare DRAM-dies bestaat. Een slechte processtap laat daardoor veel meer waarde verloren gaan dan bij een eenvoudige chip. Hybrid bonding moet dus niet alleen technisch beter zijn; de methode moet ook tegen concurrerende kosten en met zeer hoge yields kunnen worden geproduceerd.

SK hynix heeft juist met MR-MUF een sterke productiepositie opgebouwd. Zolang het daarmee HBM4 en HBM4E in grote volumes kan leveren aan Nvidia en andere klanten, is het rationeel om een bewezen proces verder te optimaliseren.

Het risico ligt verder vooruit. Samsung probeert eerder ervaring met hybrid bonding op te bouwen. Wanneer Samsung erin slaagt de technologie in volume te produceren zonder yieldnadeel en daarmee thermisch betere of hogere HBM-stacks kan leveren, kan de conservatievere strategie van SK hynix later een handicap worden.

Voorlopig zien wij dat nog niet. SK hynix kiest nu vooral voor productiestabiliteit. De echte technologische confrontatie komt richting 20-Hi en HBM5.

Waarom SK hynix nog zonder hybrid bonding kan

De verklaring begint bij een ogenschijnlijk klein technisch detail: de maximale hoogte van een HBM-stack. Voor HBM3E gold ongeveer 720 micrometer. Bij HBM4 werd dat verhoogd naar 775 micrometer.

Die extra ruimte heeft grote gevolgen. Een belangrijke reden voor hybrid bonding is dat traditionele microbumps tussen de DRAM-lagen ruimte innemen. Wanneer fabrikanten extra stackhoogte krijgen, kunnen zij bestaande processen langer blijven gebruiken.

SK hynix heeft precies dat gedaan. Bij 16-Hi HBM4 worden de afzonderlijke geheugendies al teruggebracht tot ongeveer 50 micrometer en worden de ruimtes tussen de dies kleiner. Dat maakt warpage, gap-fill en warmteafvoer moeilijker, maar volgens SK hynix nog niet moeilijk genoeg om MR-MUF bij HBM4E af te schrijven.

Voor Besi is dat het nieuwe en relevante datapunt: de fysieke grens die de overstap naar hybrid bonding moet afdwingen ligt bij SK hynix verder weg dan eerder werd gehoopt.

De 16-Hi-uitdaging is al fors

De bestaande technologie wordt ondertussen behoorlijk ver uitgerekt. SK hynix heeft 12-Hi HBM4 in productie en 16-Hi HBM4 met 48 GB per cube zit in customer qualification. Om zestien lagen binnen dezelfde maximale hoogte te krijgen moeten de dies extreem dun worden en moeten de tussenruimtes verder afnemen.

Dat levert drie problemen op. Dunne dies zijn mechanisch kwetsbaarder en vervormen gemakkelijker, het aanbrengen van underfill tussen steeds kleinere gaps wordt moeilijker en de warmte moet door een steeds hogere actieve geheugenstack worden afgevoerd.

Dat SK hynix dit nog met MR-MUF kan oplossen is juist de reden waarom het bedrijf niet haastig naar hybrid bonding overstapt.

HBM4E bewijst dat MR-MUF nog niet is uitgespeeld

SK hynix heeft inmiddels 12-layer HBM4E-samples geleverd die tot 16 Gbps per pin moeten halen. Volgens het bedrijf verbetert daarbij ook de energie-efficiëntie en wordt de thermische weerstand ten opzichte van HBM4 verlaagd.

Dat is belangrijk. Als een bestaande en goed beheerste productietechnologie opnieuw aanzienlijke performanceverbeteringen kan leveren, wordt de economische drempel voor een volledig nieuw bondingproces hoger.

Hybrid bonding moet dan niet slechts iets beter zijn. De verbetering moet groot genoeg worden om nieuwe machines, nieuwe kwalificatie, hogere procescomplexiteit en mogelijk lagere initiële yields te rechtvaardigen.

Bij HBM4E is SK hynix kennelijk nog niet op dat punt.

Vanaf 20-Hi draait de vergelijking

Bij twintig lagen en meer verandert de technische vergelijking veel sterker. Steeds dunner slijpen kan niet onbeperkt doorgaan en tegelijkertijd wordt warmte een steeds groter probleem.

Hybrid bonding verwijdert de traditionele microbumps en maakt directe koperverbindingen tussen de dies. Daardoor kan de verticale afstand tussen de lagen worden verkleind en kunnen de individuele dies juist dikker blijven.

SK hynix liet zien dat bij een 20-Hi-structuur core dies met hybrid bonding tot ongeveer 24% dikker kunnen blijven. De interconnectpitch kan onder circa 18 micrometer dalen, terwijl MR-MUF momenteel rond 30 micrometer zit. Ook kan de thermische weerstand rond 35% lager uitvallen.

Dat zijn precies de eigenschappen die bij steeds hogere HBM-stacks economisch belangrijk worden.

HBM5 wordt nu de echte Besi-test

Daarom vinden wij HBM5 voor Besi veel belangrijker worden dan HBM4E. Bij HBM5 kan de industrie het punt bereiken waarop hybrid bonding niet langer alleen een superieur alternatief is, maar steeds meer noodzakelijk wordt om de gewenste hoogte, bandbreedte en thermische prestaties te combineren.

Dat kan uiteindelijk zelfs gunstiger zijn voor Besi. Een gedeeltelijke toepassing bij HBM4E zou waarschijnlijk een geleidelijke equipmentramp opleveren. Wanneer 20-Hi HBM5 nauwelijks economisch zonder hybrid bonding kan worden geproduceerd, kan de overgang veel breder worden.

Maar beleggers moeten daar niet te vroeg op vooruitlopen. HBM5 is nog geen geboekte Besi-omzet. Eerst moeten kwalificaties worden afgerond en daarna moeten daadwerkelijke productieorders volgen.

Dat is voor ons de belangrijkste discipline in de investment case.

Samsung wordt belangrijker

Door het besluit van SK hynix krijgt Samsung meer gewicht voor Besi. Samsung heeft voorbereidingen getroffen voor een hybrid-bondingproductielijn met tientallen die-to-wafer bonders en Besi wordt in de toeleveringsketen als belangrijke kandidaat gezien.

Tegelijkertijd moet die kans niet worden overdreven. De definitieve equipmentmix is nog onderwerp van competitie en Samsung kijkt ook naar alternatieve leveranciers. Daarnaast wordt brede massaproductie pas later in het decennium verwacht.

Daarmee is Samsung een belangrijke potentiële versneller, maar nog geen reden om nu al grote nieuwe Besi-omzet in de ramingen te zetten.

Micron laat zien dat iedere producent zijn eigen route kiest

Micron volgt opnieuw een ander traject en blijft voorlopig conservatiever rond hybrid bonding. Dat maakt duidelijk dat de HBM-industrie niet op één afgesproken moment naar dezelfde productiemethode overstapt.

Voor Besi maakt dat de orderflow belangrijker dan de algemene HBM-roadmap. De onderneming hoeft niet te wachten totdat SK hynix, Samsung en Micron alle drie tegelijk overstappen. Eén grote producent kan al materiële equipmentvraag creëren.

Maar andersom betekent een snelgroeiende totale HBM-markt ook niet automatisch dat alle drie producenten Besi-machines nodig hebben.

Dat is de nuance die beleggers volgens ons voortdurend moeten vasthouden.

Thermals worden uiteindelijk de doorslaggevende factor

Het bredere Hot Chips-verhaal laat vooral zien hoe snel het warmteprobleem groeit. SK hynix spreekt over een thermische belasting die over opeenvolgende generaties fors toeneemt, terwijl het aantal gestapelde dies blijft stijgen.

De onderneming werkt daarom ook aan aanvullende technologie zoals i-HBM, waarbij warmte rond specifieke hotspots beter uit de stack wordt geleid. Samsung ontwikkelt eveneens eigen thermische oplossingen.

Dat kan hybrid bonding opnieuw wat tijd geven, maar het verandert de onderliggende trend niet. AI-accelerators vragen steeds meer geheugenbandbreedte binnen een beperkte packageoppervlakte en een steeds zwaarder thermisch budget.

Advanced packaging wordt daardoor alleen maar belangrijker.

De echte kans voor Besi ligt breder

Juist daarom vinden wij het verkeerd om Besi uitsluitend door de HBM-lens te bekijken. AI verschuift de semiconductorindustrie naar chiplets, heterogeneous integration, complexere logicpackages en steeds hogere interconnectdichtheid.

Hybrid bonding past precies in die ontwikkeling. Memory kan uiteindelijk een uitzonderlijk grote markt worden vanwege het enorme aantal dies dat per HBM-stack moet worden verbonden, maar dezelfde technologie heeft ook waarde bij logic en andere geavanceerde packages.

Voor Besi betekent dat dat SK hynix een toekomstige groeipoot vertraagt, niet dat het huidige groeiplatform verdwijnt.

Waar beleggers nu werkelijk op moeten letten

Voor Besi worden de komende echte equipmentorders belangrijker dan nieuwe roadmaps. We willen zien welke memoryproducent als eerste daadwerkelijk capaciteit voor volumeproductie bestelt en hoeveel machines daarvoor nodig zijn.

Daarnaast moet de hybrid-bondinggroei buiten memory doorzetten. Wanneer logic, datacenter en photonics sterk blijven terwijl HBM later wordt toegevoegd, wordt de investment case juist breder en minder afhankelijk van één technologisch overgangsmoment.

Voor SK hynix is de belangrijkste test de uitvoering van 16-Hi en HBM4E. Hoge yields en tijdige volumes zouden bewijzen dat langer doorgaan met MR-MUF de juiste economische keuze is. Zodra die technologie de volgende stackhoogte niet meer betrouwbaar aankan, moet hybrid bonding klaarstaan.

Conclusie

SK hynix heeft voor Besi een belangrijke potentiële HBM-katalysator naar achteren geschoven. HBM4E lijkt bij de grootste HBM-speler geen grote hybrid-bondinggeneratie te worden en dat is duidelijk een tegenvaller voor beleggers die op snelle memoryorders rekenden.

Maar het is geen gamechanger. Samsung kan eerder bewegen, hybrid bonding groeit al buiten HBM en bij 20-Hi en HBM5 worden de technische argumenten voor directe koperverbindingen juist aanzienlijk sterker.

Daarom veranderen wij de Besi-strategie niet. Buy on dips. Een duidelijke terugval vanwege teleurstelling over SK hynix zouden wij eerder gebruiken dan vermijden, zolang de bredere hybrid-bondingorders en advanced-packagingcase intact blijven.

Voor SK hynix zelf is de keuze logisch: gebruik MR-MUF zolang yield, kosten en volume daar voordeel van hebben en introduceer hybrid bonding pas wanneer de technische noodzaak groot genoeg wordt.

Voor Besi verschuift daarmee vooral het moment waarop HBM een grote extra groeimotor kan worden. Later, niet weg.

English version

Besi: SK hynix delays hybrid bonding — a setback for HBM4E, but not a break in the case

■ SK hynix confirmed at Hot Chips 2026 that hybrid bonding will not be ready for HBM4E and will continue using Advanced MR-MUF. For Besi, an important potential HBM equipment catalyst therefore moves further out.
■ This is a setback, but not a gamechanger for Besi. The HBM opportunity has not disappeared and becomes technically more relevant as stacks move towards 20-Hi and HBM5.
■ Samsung may move earlier. It is building hybrid-bonding capacity and Besi remains an important candidate for die-to-wafer equipment, although major production orders have not yet been finalised.
■ Micron is following a more conservative path. The industry is therefore unlikely to transition simultaneously, with SK hynix, Samsung and Micron potentially adopting hybrid bonding at different points.
■ For SK hynix, extending MR-MUF is rational as long as yields, cost and volume remain attractive. That avoids putting its strong HBM position at unnecessary risk through a more complex manufacturing process.
■ For Besi, our strategy remains Buy on dips. Weakness caused by disappointment around HBM4E would represent an opportunity rather than a reason to abandon the structural hybrid-bonding case.

Introduction

Hot Chips 2026 delivered an important new signal for Besi investors. SK hynix, one of the dominant HBM suppliers for AI accelerators, does not expect to use hybrid bonding for HBM4E. The company will continue with Advanced MR-MUF, effectively pushing hybrid bonding into a later generation, with HBM5 now appearing to be the earliest logical point.

That matters because HBM has long been regarded as one of the largest potential new applications for Besi's hybrid-bonding equipment. Only recently, 16-Hi HBM4E was still viewed as a potential first meaningful adoption point. SK hynix now clearly sees the roadmap differently.

For investors, this primarily changes timing. Expectations for a rapid wave of HBM-related hybrid-bonding orders should become more conservative. But concluding that Besi's structural opportunity is disappearing would, in our view, be wrong.

Investment view — Besi

For Besi, the SK hynix news is clearly a setback, but not a gamechanger. Expectations that HBM4E could already become an important new hybrid-bonding market are moving further out at the largest HBM producer. That may put near-term pressure on the shares and makes it sensible to take a more conservative view of HBM contributions from the next generation.

Our strategy nevertheless remains Buy on dips. If Besi is marked down on the news, we would regard that more as an opportunity than a reason to abandon the structural hybrid-bonding case. The key point is that the HBM opportunity has not disappeared. The technical need actually increases as stack counts rise and thermal problems become more severe.

The distinction between HBM growth and hybrid-bonding growth is essential. The HBM market can expand dramatically over the next several years without Besi immediately benefiting at the same rate. While SK hynix continues to use MR-MUF, more HBM stacks for Nvidia do not automatically mean more Besi hybrid bonders.

Samsung therefore becomes more important. It is following a more aggressive roadmap and is building capacity for die-to-wafer hybrid bonding. Besi remains an important equipment candidate, although final equipment choices and large production orders are not yet completely locked in.

At the same time, Besi is now much broader than a future HBM option. Hybrid bonding is already being developed and scaled in advanced logic, data-center chips, photonics and other high-end packaging applications. HBM should therefore be viewed as a potential additional acceleration on top of the existing case.

Our long-term view therefore remains intact: a setback for HBM4E, no gamechanger for Besi and Buy on dips on meaningful share-price weakness.

Investment view — SK hynix

For SK hynix, we view the same development much more neutrally. The company has no commercial reason to force hybrid bonding early while Advanced MR-MUF continues to provide sufficient performance. In HBM, high yields, reliable volume and timely deliveries ultimately matter more than using the most technologically advanced bonding method.

This is particularly important because an HBM stack contains multiple expensive DRAM dies. A failed process step therefore destroys significantly more value than in a simpler chip. Hybrid bonding must not only offer better technical characteristics; it must also achieve competitive costs and extremely high production yields.

SK hynix has built much of its strong HBM manufacturing position around MR-MUF. While it can use that process to supply HBM4 and HBM4E at scale, continuing to optimise a proven manufacturing route is rational.

The risk lies further ahead. Samsung is attempting to build hybrid-bonding experience earlier. If Samsung can industrialise the technology without a yield disadvantage while delivering better thermal performance and higher stacks, SK hynix's more conservative approach could eventually become a handicap.

For now, however, SK hynix is primarily choosing manufacturing stability. The real technological confrontation will come with 20-Hi and HBM5.

Why SK hynix can still avoid hybrid bonding

The explanation begins with a seemingly small technical detail: the maximum height of an HBM stack. HBM3E had a limit of roughly 720 micrometers. HBM4 increased that to 775 micrometers.

That extra room has major consequences. One important reason for hybrid bonding is that conventional microbumps between DRAM layers consume vertical space. When manufacturers are given additional stack height, they can continue using existing processes for longer.

SK hynix has done exactly that. With 16-Hi HBM4, individual memory dies are already thinned to around 50 micrometers and the spaces between dies become smaller. That makes warpage, gap fill and thermal management more difficult, but according to SK hynix not yet difficult enough to make MR-MUF unsuitable for HBM4E.

For Besi, that is the new and relevant datapoint: the physical limit forcing the transition to hybrid bonding sits further away at SK hynix than previously hoped.

The 16-Hi challenge is already significant

The current technology is nevertheless being stretched considerably. SK hynix has 12-Hi HBM4 in production and 16-Hi HBM4 with 48 GB per cube is in customer qualification. Fitting sixteen layers within the same maximum height requires extremely thin dies and smaller gaps.

This creates three problems. Thin dies are mechanically more fragile and warp more easily, applying underfill between increasingly narrow gaps becomes more difficult and heat needs to escape through an increasingly tall active memory stack.

The fact that SK hynix can still solve this with MR-MUF is precisely why it is not rushing into hybrid bonding.

HBM4E shows MR-MUF is not exhausted

SK hynix has already delivered 12-layer HBM4E samples capable of reaching up to 16 Gbps per pin. The company also reports improved power efficiency and lower thermal resistance compared with HBM4.

That matters. If an existing, well-controlled manufacturing technology can continue delivering substantial performance improvements, the economic hurdle for adopting an entirely new bonding process rises.

Hybrid bonding therefore needs to be more than slightly better. The gains need to justify new equipment, new qualification, greater process complexity and potentially lower initial yields.

At HBM4E, SK hynix apparently does not believe that point has yet been reached.

At 20-Hi the equation changes

At twenty layers and beyond, the technical equation changes much more significantly. Dies cannot be thinned indefinitely and heat becomes an increasingly serious problem.

Hybrid bonding removes conventional microbumps and enables direct copper connections between dies. This reduces vertical spacing and allows individual dies to remain thicker.

SK hynix has shown that in a 20-Hi structure, hybrid bonding could allow core dies to remain up to roughly 24% thicker. Interconnect pitch could fall below around 18 micrometers, compared with approximately 30 micrometers for MR-MUF. Thermal resistance could also decline by around 35%.

Those are precisely the characteristics that become economically important as HBM stacks get higher.

HBM5 now becomes the real Besi test

We therefore regard HBM5 as becoming far more important for Besi than HBM4E. With HBM5, the industry could reach the point where hybrid bonding is no longer simply a superior alternative but becomes increasingly necessary to combine stack height, bandwidth and thermal performance.

That could ultimately even be more favourable for Besi. Partial adoption in HBM4E would likely create a gradual equipment ramp. If 20-Hi HBM5 becomes difficult to manufacture economically without hybrid bonding, the transition could become much broader.

Investors should not front-run that too aggressively. HBM5 is not booked Besi revenue. Qualifications need to be completed and actual production equipment orders need to follow.

That remains the key discipline in the investment case.

Samsung becomes more important

SK hynix's decision increases Samsung's importance for Besi. Samsung has been preparing a hybrid-bonding production line involving dozens of die-to-wafer bonders, with Besi viewed as an important candidate in the supply chain.

At the same time, the opportunity should not be exaggerated. The final equipment mix remains competitive and Samsung is evaluating alternative suppliers as well. Broad mass production is also expected later in the decade.

Samsung is therefore an important potential accelerator, but not yet a reason to include large new Besi revenue in estimates.

Micron shows each producer is choosing its own route

Micron is taking another path and remains more conservative around hybrid bonding. That demonstrates that the HBM industry is unlikely to switch to the same production method at one coordinated moment.

For Besi, this makes actual order flow more important than the overall HBM roadmap. The company does not need to wait for SK hynix, Samsung and Micron all to switch simultaneously. One major manufacturer can already create meaningful equipment demand.

But rapidly growing total HBM volumes also do not automatically mean all three producers need Besi equipment.

That is the nuance investors need to retain.

Thermals will eventually become decisive

The broader Hot Chips message primarily demonstrates how quickly the thermal problem is growing. SK hynix sees thermal burden increasing sharply across generations while the number of stacked dies continues to rise.

The company is therefore also developing additional technology such as i-HBM to improve heat removal around specific hotspots. Samsung is developing its own thermal solutions as well.

Those approaches could buy hybrid bonding more time, but they do not change the underlying trend. AI accelerators require more memory bandwidth within limited package area and an increasingly difficult thermal envelope.

Advanced packaging therefore becomes more important, not less.

The real Besi opportunity is broader

That is why we believe it is wrong to analyse Besi solely through the HBM lens. AI is pushing the semiconductor industry towards chiplets, heterogeneous integration, more complex logic packages and higher interconnect density.

Hybrid bonding fits directly into that shift. Memory could ultimately become an exceptionally large market because of the number of dies that need to be connected in each HBM stack, but the same technology also has value in logic and other advanced packages.

For Besi, SK hynix therefore delays one future growth pillar. It does not eliminate the existing growth platform.

What investors should actually watch

For Besi, real equipment orders now matter more than another roadmap. We want to see which memory producer is first to order actual volume-production capacity and how many machines are required.

Hybrid-bonding growth outside memory also needs to continue. If logic, data-center and photonics demand remain strong while HBM is added later, the investment case becomes broader and less dependent on one technological transition point.

For SK hynix, the main test is execution in 16-Hi and HBM4E. High yields and timely volume would demonstrate that extending MR-MUF was the correct economic choice. Once that technology can no longer reliably support the next stack height, hybrid bonding needs to be ready.

Conclusion

SK hynix has pushed an important potential HBM catalyst for Besi further out. HBM4E does not appear likely to become a major hybrid-bonding generation at the largest HBM player, which is clearly a setback for investors expecting rapid memory-related orders.

But it is not a gamechanger. Samsung may move earlier, hybrid bonding is already expanding outside HBM and the technical case for direct copper connections becomes substantially stronger at 20-Hi and HBM5.

We therefore do not change our Besi strategy. Buy on dips. Meaningful weakness caused by disappointment around SK hynix would be something we would use rather than avoid, provided the broader hybrid-bonding order cycle and advanced-packaging case remain intact.

For SK hynix, the decision is logical: continue using MR-MUF while yield, cost and volume support it, and transition only when the technical need becomes sufficiently compelling.

For Besi, the main change is therefore the timing of HBM as a major additional growth engine. Later, not gone.